Nano Carbeto de Silício (SiC) – 50 nm, Ultra Alta Pureza ≥99,9%

O carbeto de silício nanométrico (Nano SiC, 50 nm) é um pó nanocerâmico de ultra alta pureza, desenvolvido para aplicações profissionais e de pesquisa que exigem dureza extrema, condutividade térmica superior e excelente estabilidade química. Com tamanho médio de partícula de aproximadamente 50 nm e pureza ≥99,9 % em peso, oferece desempenho excepcional em semicondutores, sistemas de energia, revestimentos avançados e compósitos estruturais.
Produzido por nano-síntese de alta precisão e sob rigoroso controle de impurezas, este pó de SiC garante distribuição uniforme das partículas, mínima contaminação metálica e excelente comportamento de sinterização — ideal para cerâmicas eletrônicas, materiais de alta temperatura e componentes aeroespaciais.

Nº CAS: 409-21-2
Nº EINECS: 206-991-8
Fórmula química: SiC
Peso molecular: 40.09
Grau: Ultra alta pureza

Especificações:
Aparência: pó fino cinza a cinza-escuro
Tamanho médio de partícula (D₅₀): ≈50 nm
Pureza (SiC): ≥99,9 %
Fe (Ferro): ≤350 ppm
Cu (Cobre): ≤200 ppm
Pb (Chumbo): ≤20 ppm
Cl (Cloro): ≤10 ppm
Ni (Níquel): ≤70 ppm
Ca (Cálcio): ≤30 ppm
Sb (Antimônio): ≤3 ppm
Cd (Cádmio): ≤1 ppm
Impurezas metálicas totais: ≤0,1 %

Principais características:

1. Ultra alta pureza (≥99,9 %) – Baixo teor de impurezas metálicas para um processamento preciso e sem contaminação.

2. Escala nanométrica (≈50 nm) – Grande área superficial que melhora a atividade de sinterização, dispersão e ligação interfacial.

3. Dureza excepcional (Mohs 9,2) – Resistência superior à abrasão para usos com alta fricção e desgaste.

4. Alta condutividade térmica – Dissipação eficiente de calor para eletrônica de potência e gerenciamento térmico.

5. Baixa expansão térmica – Mantém a integridade estrutural sob mudanças rápidas de temperatura.

6. Inércia química – Resistente a ácidos, álcalis e atmosferas oxidantes.

7. Comportamento semicondutor – Semicondutor de ampla banda proibida adequado para dispositivos de alta potência e alta frequência.

Aplicações:

1. Cerâmicas e abrasivos avançados: Nano-SiC para meios de polimento ultrafino, retificação de precisão e aditivos de sinterização.

2. Semicondutores e eletrônica: Usado em wafers à base de SiC, MOSFETs, diodos e materiais de interface térmica.

3. Sistemas de energia: Aplicado em células a combustível de óxido sólido, ânodos de baterias de lítio e componentes térmicos nucleares.

4. Aeroespacial e automotivo: Compósitos leves, revestimentos de alta temperatura e sistemas resistentes à fricção.

5. Equipamentos industriais: Selos, rolamentos e bicos de alto desempenho para ambientes extremos.

6. Tecnologia ambiental: Empregado em revestimentos fotocatalíticos, filtração e sistemas de purificação de gases.

O carbeto de silício nanométrico de 50 nm (SiC) representa a nova geração de materiais nanocerâmicos de ultra alta pureza, combinando dureza extrema, estabilidade térmica excepcional e propriedades semicondutoras controláveis. Sua precisão em escala nanométrica e sua robustez química o tornam indispensável para pesquisa avançada, tecnologia de defesa, fabricação eletrônica e engenharia de alta temperatura.