Nano carbure de silicium (SiC) – 50 nm, ultra haute pureté ≥ 99,9 %

Le carbure de silicium nanométrique (Nano SiC, 50 nm) est une poudre nanocéramique de très haute pureté, conçue pour des applications professionnelles et de recherche exigeant une dureté extrême, une conductivité thermique supérieure et une excellente stabilité chimique. Avec une taille moyenne de particules d’environ 50 nm et une pureté ≥99,9 % en poids, elle offre des performances exceptionnelles dans les domaines des semi-conducteurs, des systèmes énergétiques, des revêtements avancés et des composites structurels.
Produite par nano-synthèse de haute précision et sous contrôle rigoureux des impuretés, cette poudre de SiC garantit une distribution uniforme des particules, une contamination métallique minimale et un comportement de frittage remarquable — idéale pour les céramiques électroniques, les matériaux à haute température et les composants aérospatiaux.

N° CAS : 409-21-2
N° EINECS : 206-991-8
Formule chimique : SiC
Masse moléculaire : 40,09
Qualité : Ultra haute pureté

Spécifications :
Aspect : poudre fine gris à gris foncé
Taille moyenne des particules (D₅₀) : ≈50 nm
Pureté (SiC) : ≥99,9 %
Fe (Fer) : ≤350 ppm
Cu (Cuivre) : ≤200 ppm
Pb (Plomb) : ≤20 ppm
Cl (Chlore) : ≤10 ppm
Ni (Nickel) : ≤70 ppm
Ca (Calcium) : ≤30 ppm
Sb (Antimoine) : ≤3 ppm
Cd (Cadmium) : ≤1 ppm
Impuretés métalliques totales : ≤0,1 %

Principales caractéristiques :

1. Ultra haute pureté (≥99,9 %) – Faible teneur en impuretés métalliques pour un traitement précis et sans contamination.

2. Échelle nanométrique (≈50 nm) – Grande surface spécifique favorisant le frittage, la dispersion et l’adhésion interfaciale.

3. Dureté exceptionnelle (Mohs 9,2) – Résistance supérieure à l’abrasion pour les applications à forte usure et friction.

4. Haute conductivité thermique – Dissipation efficace de la chaleur pour l’électronique de puissance et la gestion thermique.

5. Faible dilatation thermique – Stabilité structurelle face aux variations rapides de température.

6. Inertie chimique – Résistant aux acides, aux bases et aux atmosphères oxydantes.

7. Comportement semi-conducteur – Semi-conducteur à large bande interdite adapté aux dispositifs de haute puissance et haute fréquence.

Applications :

1. Céramiques et abrasifs avancés : Nano-SiC utilisé pour les médias de polissage ultra-fins, le meulage de précision et les additifs de frittage.

2. Semi-conducteurs et électronique : Utilisé dans les plaquettes à base de SiC, les MOSFET, les diodes et les matériaux d’interface thermique.

3. Systèmes énergétiques : Appliqué dans les piles à combustible à oxyde solide, les anodes de batteries au lithium et les composants thermiques nucléaires.

4. Aéronautique et automobile : Composites légers, revêtements haute température et systèmes résistants à la friction.

5. Équipements industriels : Joints, roulements et buses haute performance pour environnements extrêmes.

6. Technologies environnementales : Utilisé dans les revêtements photocatalytiques, la filtration et les systèmes de purification des gaz.

Le carbure de silicium nanométrique de 50 nm (SiC) représente la nouvelle génération de matériaux nanocéramiques ultra purs, alliant dureté extrême, stabilité thermique exceptionnelle et propriétés semi-conductrices contrôlables. Sa précision nanométrique et sa robustesse chimique en font un matériau indispensable pour la recherche avancée, la technologie de défense, la fabrication électronique et l’ingénierie à haute température.