Carburo de silicio nanométrico (SiC) – 50 nm, pureza ultraalta ≥99,9 %

El carburo de silicio nanométrico (Nano SiC, 50 nm) es un polvo nanocerámico de ultra alta pureza, diseñado para aplicaciones profesionales y de investigación que requieren una dureza extrema, una conductividad térmica superior y una excelente estabilidad química. Con un tamaño promedio de partícula de aproximadamente 50 nm y una pureza ≥99.9 % en peso, ofrece un rendimiento excepcional en semiconductores, sistemas energéticos, recubrimientos avanzados y compuestos estructurales.
Fabricado mediante nano-síntesis de precisión y un estricto control de impurezas, este polvo de SiC garantiza una distribución uniforme de partículas, una contaminación metálica mínima y un excelente comportamiento de sinterización, ideal para cerámicas electrónicas, materiales de alta temperatura y componentes aeroespaciales.

N.º CAS: 409-21-2
N.º EINECS: 206-991-8
Fórmula química: SiC
Peso molecular: 40.09
Grado: Ultra alta pureza

Especificaciones:
Apariencia: polvo fino de color gris a gris oscuro
Tamaño promedio de partícula (D₅₀): ≈50 nm
Pureza (SiC): ≥99.9 %
Fe (Hierro): ≤350 ppm
Cu (Cobre): ≤200 ppm
Pb (Plomo): ≤20 ppm
Cl (Cloro): ≤10 ppm
Ni (Níquel): ≤70 ppm
Ca (Calcio): ≤30 ppm
Sb (Antimonio): ≤3 ppm
Cd (Cadmio): ≤1 ppm
Impurezas metálicas totales: ≤0.1 %

Características principales:

1. Ultra alta pureza (≥99.9 %) – Bajas impurezas metálicas para un procesamiento preciso y libre de contaminación.

2. Escala nanométrica (≈50 nm) – Gran área superficial que mejora la actividad de sinterización, la dispersión y la unión interfacial.

3. Dureza excepcional (Mohs 9.2) – Resistencia superior a la abrasión para usos con alta fricción y desgaste.

4. Alta conductividad térmica – Disipación eficiente del calor para electrónica de potencia y gestión térmica.

5. Baja expansión térmica – Mantiene la integridad estructural ante cambios rápidos de temperatura.

6. Inercia química – Resistente a ácidos, álcalis y atmósferas oxidantes.

7. Comportamiento semiconductor – Semiconductor de banda ancha adecuado para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.

Aplicaciones:

1. Cerámicas y abrasivos avanzados: Nano-SiC para medios de pulido ultrafino, rectificado de precisión y aditivos de sinterización.

2. Semiconductores y electrónica: Utilizado en obleas basadas en SiC, MOSFET, diodos y materiales de interfaz térmica.

3. Sistemas energéticos: Aplicado en pilas de combustible de óxido sólido, ánodos de baterías de litio y componentes térmicos nucleares.

4. Aeroespacial y automotriz: Compuestos ligeros, recubrimientos de alta temperatura y sistemas resistentes a la fricción.

5. Equipos industriales: Sellos, cojinetes y boquillas de alto rendimiento para entornos extremos.

6. Tecnología ambiental: Empleado en recubrimientos fotocatalíticos, filtración y sistemas de purificación de gases.

El carburo de silicio nanométrico de 50 nm (SiC) representa la nueva generación de materiales nanocerámicos de ultra alta pureza, combinando dureza extrema, estabilidad térmica excepcional y propiedades semiconductoras controlables. Su precisión a escala nanométrica y su robustez química lo hacen indispensable para la investigación avanzada, la tecnología de defensa, la fabricación electrónica y la ingeniería de alta temperatura.